| 种类：绝缘栅(MOSFET) | 品牌：IR/国际整流器 | 型号：IRF840 |
| 导电方式：增强型 | 沟道类型：N沟道 | 封装外形：CER-DIP/陶瓷直插 |
| 材质：ALGaAS铝镓砷 | 用途：L/功率放大 |
１）V DS :工作电压５００v
.２）V DG(20KΩ)耐压５００Ｖ。
３）Ｖ GS 栅源电压 正负２０Ｖ
４）ＩＤ ２５度时８Ａ,１ＯＯ度时５．１Ａ
５）ＩＤＭ工作电流３２Ａ
６）Ｐtot 温度２５度时峰值功率１２５Ｗ
７）Ｄv/Ｄt 二极管恢复电压峰值斜率3.5v/ns
８） 工作温度范围－６５－－－－１５０度
要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。 IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
MICREL麦瑞：
KSZ8993 KSZ8041
KSZ8842 KSZ8851 KSZ8851 KSZ8851 KSZ8851 KSZ8851 KSZ8863 KSZ8863
KSZ8863 KSZ8863 KSZ8863 KSZ8863 KSZ8864 KSZ8864 KSZ8864 KSZ8864
KSZ8873 KSZ8873 KSZ8873 KSZ8873 KSZ8873 KSZ8873 KSZ8893 KSZ8893
英飞凌/IGBT管系列：
IKW08T120 IKW15T120 IKW20N60T IKW25N120T2 IKW25T120
IKW30N60T IKW40N120T2 IKW40T120 IKW50N60 IKW75N60
仙童/IGBT单管系列：
FGA15N120 FGA25N120 FGL40N120 FGL40N150D FGH60N60 FGL60N100 FGL160N60
HGTG30N60 HGTG40N60 HGTG11N120 SGH80N60 SGH40N60、、、、
整流快恢复系列：
STTH6002 STTH6003 STPS80150 ESAD92-02 MUR1560 FML33S FML4204S
RHRG30120 RHRG3060 RHRG75120 80CPQ150 40CPQ100 63CPQ100 DSEI60-06A
MOS管：
IRFZ24N IRF9Z24N IRF9Z34N IRFP460 2SK3878 2SK4108 2SK4107 2SK2837
2SK2698 FMH23N50E FMH11N90E FQA11N90C FQA9N90C
部分常用IC：
LM324 LM339 LM358 LM393 LM353 CD4000系列
SG3525 UC3843 UC3845 UC3846 UC387 TL494 KA7500。
深圳市深力科电子有限公司
主营：
Micrel ，IR ， Fairchild ，Infineon ，TOSHIBA ，ON ，ST，Amphenol ，
MOLEX 等品牌：PHY以太网收发器，场效应管MOSFET，IGBT，电源驱动IC，
快恢复，肖特基,整流管， 数字/模似电路，直流/交流接触器，高压固态继电器，
矿用防爆开头，通讯连接器，等系列元件！
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